隨著美光前不久把臺(tái)灣南亞科技納入囊中，DRAM內(nèi)存產(chǎn)業(yè)基本上只有三星、SK Hynix及美光三家在玩了。目前三大廠商的主力制程工藝才剛進(jìn)入20nm，但是20nm工藝看樣子也只是過渡了，因?yàn)槿�星、SK Hynix明年就要量產(chǎn)1x nm工藝的DRAM顆粒，三星最早是明年Q1季度，美光雖然進(jìn)度最慢，但也表態(tài)爭(zhēng)取在明年量產(chǎn)1x nm工藝。

　　來自韓國(guó)ETNEWS的報(bào)道稱，三星、SK Hynix及美光這三家廠商都在致力于明年量產(chǎn)1x nm工藝的DRAM芯片，其中三星的進(jìn)度最快，他們?nèi)ツ?月份才量產(chǎn)了20nm工藝，但現(xiàn)在正在修改工藝，已經(jīng)完成了1x nm工藝的的量產(chǎn)驗(yàn)證工作，明年Q1季度就要量產(chǎn)新工藝DRAM內(nèi)存。

　　SK Hynix的進(jìn)度比三星略慢，2016年他們計(jì)劃提升20nm工藝DRAM芯片的產(chǎn)能，但2016年上半年也會(huì)完成1x nm工藝的DRAM開發(fā)工作，2016年下半年?duì)幦×慨a(chǎn)。

　　在這三家中美光這兩年的表現(xiàn)就比較差了，工藝進(jìn)度也比韓國(guó)兩家公司落后1-2代，不過美光CEO Mark Durcan也表態(tài)稱2016年他們的目標(biāo)除了提升20nm產(chǎn)能之外，也爭(zhēng)取開始量產(chǎn)1x nm工藝的RAM芯片。

　　原文說的這個(gè)1x nm等同于18nm工藝，但實(shí)際上并沒有這么簡(jiǎn)單，并不是從數(shù)字20到18這么簡(jiǎn)單，如果制程只是改變了2個(gè)nm，廠商肯定不會(huì)這么大動(dòng)干戈。在存儲(chǔ)芯片從20+nm進(jìn)入10+nm工藝之后，廠商對(duì)工藝的描述已經(jīng)不再使用具體的數(shù)字了，20nm之后是1x nm工藝，再往后則是1y nm工藝，還有1z nm工藝的說法，至于XYZ具體的含義，由于每家公司的工藝并不一樣，所以缺少詳細(xì)的解釋。